半导体装置及半导体装置的制造方法
公开
摘要
本揭示的课题涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本揭示的目的在于简化半导体装置的制造步骤。本揭示的半导体装置具备：有机膜40，形成着在z方向贯通的贯通孔43且具有电绝缘性；导电层31，形成在有机膜40上，包含不含Ti的Cu系合金；Cu布线层32，形成在导电层31上；半导体元件20，安装在Cu布线层32上；密封树脂50，将半导体元件20密封；及外装端子60，连接到导电层31。导电层31具有从有机膜40的贯通孔43露出的露出导电部31a。外装端子60与露出导电部31a相接。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429940A
申请号 ：
CN202111134161.6
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
荫山聡
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
奚勇
优先权 ：
CN202111134161.6
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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