半导体装置及半导体装置的制造方法
公开
摘要
本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够抑制将金属端子接合于金属电路图案时的钎料的位置偏移的半导体装置。半导体装置具有：绝缘基板，其在表面形成有金属电路图案；以及金属端子，其经由硬钎料而接合于金属电路图案之上，在金属电路图案之上设置有凸起，凸起与硬钎料接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566481A
申请号 ：
CN202111388726.3
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
竹胁善朗本山启太
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111388726.3
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/52 H01L21/67 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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