半导体装置及其制造方法
实质审查的生效
摘要
得到能够提高可靠性的半导体装置及其制造方法。绝缘基板(1)具有电路图案(4)。半导体元件(8)安装于绝缘基板(1)之上，与电路图案(4)电连接。壳体(11)将绝缘基板(1)以及半导体元件(8)收容。电极(12)设置于壳体(11)。电极(12)的前端面通过焊料(14)而与电路图案(4)接合。电极(12)被壳体(11)压接于电路图案(4)。在前端面设置有凸起(12d)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512462A
申请号 ：
CN202111331458.1
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥卓也
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111331458.1
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L23/10 H01L23/31 H01L21/50 H01L21/52 H01L21/56 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/498
申请日 : 20211111
申请日 : 20211111
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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