半导体装置的制造方法及半导体装置
实质审查的生效
摘要
本发明的目的在于提供能够降低制造成本的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：工序(a)，准备具有开关元件用管芯焊盘、控制元件用管芯焊盘和第3边侧梁部的引线框；工序(b)，在开关元件用管芯焊盘载置开关元件以及二极管元件，在控制元件用管芯焊盘载置对开关元件进行控制的控制元件；工序(c)，以功率侧端子、控制侧端子和第3边侧梁部的一部分凸出至外部的方式，通过模塑树脂对开关元件、二极管元件以及控制元件进行封装；以及工序(d)，从第3边侧梁部切出而形成从第3边侧梁部的一部分延伸出来的第3边侧梁端子。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的制造方法及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334667A
申请号 ：
CN202111121476.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
横山脩平中村宏之
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111121476.7
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20210924
申请日 : 20210924
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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