半导体装置、半导体装置的制造方法及具备半导体装置的电力变...
公开
摘要
提供一种半导体装置，其具备：设置有漂移区的半导体基板；配置于漂移区与下表面之间，并且掺杂浓度分布具有3个以上的浓度峰的缓冲区；以及配置于缓冲区与下表面之间的集电区，缓冲区中的3个以上的浓度峰包括：第一浓度峰，距离下表面最近；第二浓度峰，以仅次于第一浓度峰的方式接近下表面，且被配置为在深度方向上距离下表面为5μm以上，第二浓度峰的掺杂浓度比第一浓度峰的掺杂浓度低且第二浓度峰的掺杂浓度小于1.0×1015/cm3；以及高浓度峰，被配置为比第二浓度峰更远离下表面，且高浓度峰的掺杂浓度比第二浓度峰的掺杂浓度高。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、半导体装置的制造方法及具备半导体装置的电力变换装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303246A
申请号 ：
CN202180005055.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加藤由晴樱井洋辅野口晴司吉村尚
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
包跃华
优先权 ：
CN202180005055.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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