本发明提供一种至产生火花为止的反应时间较短、且火花产生量也较大的半导体电桥装置。本发明的半导体电桥装置，是在基板上具有一对焊盘部分及电性连接这一对焊盘部分的电桥部，并通过配置在这一对焊盘部分上面的电极极板而通电，以此使该电桥部中产生火花，此半导体电桥装置的特征在于，这一对焊盘部分及该电桥部是由将多组金属层与金属氧化物层交替重叠而成的叠置层所构成，并将该叠置层的最上层设为金属层，并且使用分解温度超过1500℃的金属氧化物作为该金属氧化物层。