具备基准电压电路的半导体装置
公开
摘要
本发明抑制具备使用将P型多晶硅作为栅电极的增强型晶体管的基准电压电路的半导体装置在高温放置试验中的阈值电压偏移。作为具备基准电压电路的半导体装置，其具备将P型多晶硅作为第1栅电极的增强型晶体管和将N型多晶硅作为第2栅电极的耗尽型晶体管，前述增强型晶体管具有经由前述第1栅电极上部的层间绝缘膜来覆盖前述第1栅电极并局部地设置的非透水性膜和具有比前述第1栅电极更大且比前述非透水性膜更小的开口部的、覆盖前述非透水性膜的周围而设置的氮化膜，前述耗尽型晶体管具有直接设置于前述第2栅电极的上部的层间绝缘膜的、无间隙地覆盖前述耗尽型晶体管的氮化膜。
基本信息
专利标题 ：
具备基准电压电路的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446951A
申请号 ：
CN202111270609.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小山威长谷川尚加藤伸二郎川端康平
申请人 ：
艾普凌科有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
何欣亭
优先权 ：
CN202111270609.7
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L23/31 H01L21/311 H01L21/56 H01L21/8236 H01L23/29
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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