电压基准产生电路
授权
摘要
本实用新型提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路，属于电路设计领域。本实用新型包括Trim电路和n个串联连接NMOS管，Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，使在设定温度点时为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，VGS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。本实用新型还可以根据常用室温，确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，进而省略了Trim电路，在常用室温时使用。
基本信息
专利标题 ：
电压基准产生电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922373092.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN210924312U
授权日 ：
2020-07-03
发明人 ：
朱乐永
申请人 ：
上海芯圣电子股份有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区小昆山镇山西路10号1号房404室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922373092.9
主分类号 ：
G05F1/567
IPC分类号 ：
G05F1/567
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
G05F1/565
除对系统输出偏差敏感的装置外，还检测系统一个工况或它的负载的，例如还检测电流、电压、功率因数
G05F1/567
用于温度补偿的
法律状态
2020-07-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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