带隙基准电压产生电路
专利权的终止
摘要

本实用新型公告了一种带隙基准电压产生电路,包括具有三个电流通路的电流镜电路和反馈控制电路。电流镜电路的每个电流通路包括两个漏源端串联的PMOS晶体管。增设第五电阻,其与第一电流通路的漏端电阻、第二电流通路的漏端电阻构成T型无源电阻网络。采用T型无源电阻网络代替了原有的独立漏端电阻,减少了总的电阻阻值及电阻所占的芯片面积。采用共源共栅的电流镜结构,在每个电流镜分支增加了一个PMOS晶体管,电流源输出阻抗显著增大,沟道长度调制效应的影响减少,输出的基准电压对电源电压的敏感度降低。还降低反馈控制电路的输入电平,使得设计选择更加灵活。可以在低于1.2V的电源电压下以很低的功耗提供稳定的基准电压。

基本信息
专利标题 :
带隙基准电压产生电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720172237.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-09-29
授权号 :
CN201097251Y
授权日 :
2008-08-06
发明人 :
付璟军齐良颉张欣
申请人 :
比亚迪股份有限公司
申请人地址 :
518119广东省深圳市龙岗区葵涌镇延安路比亚迪工业园
代理机构 :
深圳创友专利商标代理有限公司
代理人 :
喻尚威
优先权 :
CN200720172237.3
主分类号 :
G05F3/24
IPC分类号 :
G05F3/24  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制;调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/24
其中只用场效应型晶体管的
法律状态
2016-11-16 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101687377438
IPC(主分类) : G05F 3/24
专利号 : ZL2007201722373
申请日 : 20070929
授权公告日 : 20080806
终止日期 : 20150929
2008-12-03 :
专利实施许可合同的备案
合同备案号 : 2008440000068
让与人 : 比亚迪股份有限公司
受让人 : 深圳比亚迪微电子有限公司
发明名称 : 带隙基准电压产生电路
申请日 : 20070929
授权公告日 : 20080806
许可种类 : 普通许可
备案日期 : 2008.5.4
合同履行期限 : 2008.4.25至2015.8.16合同变更
2008-08-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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