基准电压产生装置

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摘要

本发明提供基准电压产生装置，抑制了相对于温度变动的基准电压的变动。基准电压产生装置具有：恒定电流电路，其包含具有第一沟道尺寸的第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第一导电型的栅电极、源区、漏区和第一沟道杂质区；以及电压生成电路，其包含具有与第一沟道尺寸不同的第二沟道尺寸的第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管具有第二导电型的栅电极、与第一导电型的源区、漏区和与第一沟道杂质区不同的杂质浓度的第二沟道杂质区。

基本信息

专利标题：

基准电压产生装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110119178A

申请号：

CN201910003748.X

公开（公告）日：

2019-08-13

申请日：

2019-01-03

授权号：

CN110119178B

授权日：

2022-05-03

发明人：

吉野英生

申请人：

艾普凌科有限公司

申请人地址：

日本千叶县

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

邓毅

优先权：

CN201910003748.X

主分类号：

G05F3/26

IPC分类号：

G05F3/26