CMOS基准电压源

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种低温度系数的、适于在CMOS工艺上实现的CMOS基准电压源。包括启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路；启动电路，主偏置电流产生电路，基准电压产生电路的直流电输入端分别连接直流电源Vdd，主偏置电流产生电路的输入端连接启动电路的输出端，主偏置电流产生电路的第一输出端、第二输出端分别对应连接基准电压产生电路的第一输入端和第二输入端，基准电压产生电路的基准电压输出端输出基准电压。本实用新型电路中不包含三极管，只包含NMOS管、PMOS管、电阻、电容四种器件，因此，具有结构简单的优点，在CMOS工艺线上实现方便、有效、兼容性好，不存在放大器失调的问题。

基本信息

专利标题：

CMOS基准电压源

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200620170898.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2006-12-28

授权号：

CN200997086Y

授权日：

2007-12-26

发明人：

孙伟锋夏晓娟徐申李海松时龙兴

申请人：

东南大学

申请人地址：

210096江苏省南京市四牌楼2号

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：

陆志斌

优先权：

CN200620170898.8

主分类号：

G05F3/24

IPC分类号：

G05F3/24