基准电压电路以及半导体装置
授权
摘要
本发明涉及基准电压电路以及半导体装置。一种基准电压电路，具有串联连接的耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管，并从增强型MOS晶体管的漏极输出基准电压，耗尽型MOS晶体管和增强型MOS晶体管的栅极被共同连接在一起，其中，耗尽型MOS晶体管至少具有串联连接的第一耗尽型MOS晶体管和第二耗尽型MOS晶体管，该基准电压电路具有电容器，该电容器的一端与第一耗尽型MOS晶体管的漏极连接，另一端与第一耗尽型MOS晶体管的源极连接。
基本信息
专利标题 ：
基准电压电路以及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110134175A
申请号 ：
CN201811633844.4
公开（公告）日 ：
2019-08-16
申请日 ：
2018-12-29
授权号 ：
CN110134175B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
坂口薰
申请人 ：
艾普凌科有限公司
申请人地址 ：
日本千叶县
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
邓毅
优先权 ：
CN201811633844.4
主分类号 ：
G05F3/26
IPC分类号 ：
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G05F 3/26
申请日 : 20181229
申请日 : 20181229
2019-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
