半导体装置以及电力转换装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种能够抑制由制造时的形状偏差、杂质偏差引起的IGBT单元间的电场偏差所导致的局部的电流电场集中、芯片终端部的电流集中的切断耐量高的半导体装置。其特征在于，具备：发射极电极，其经由层间绝缘膜形成于半导体基板的表面上；集电极，其形成于所述半导体基板的背面上；第一导电型的第一半导体层，其与所述集电极相接，形成于所述半导体基板的背面；第二导电型的第二半导体层，其形成于比所述第一半导体层更靠内侧处；中心区域单元，其沿着所述半导体基板的表面配置；外周区域单元，其在所述半导体基板的平面方向上，位于比所述中心区域单元更靠外侧处，配置在所述中心区域单元与芯片终端保护环区域之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置以及电力转换装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114391184A
申请号 ：
CN202080061875.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
古川智康白石正树渡边聪三好智之竹内悠次郎
申请人 ：
株式会社日立功率半导体
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
许静
优先权 ：
CN202080061875.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/739 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20200422
申请日 : 20200422
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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