半导体装置和电力变换装置
授权
摘要
提供一种半导体装置，其在将作为导电部件的金属板烧结接合在IGBT那样的具有栅极构造的半导体芯片上时，即使在烧结接合过程中进行加压，也难以在半导体芯片的栅极配线部产生过剩的应力，从而减少了特性不良。本发明的半导体装置的特征在于，具备以IGBT为代表的具有栅极构造的半导体芯片(105)，并具有在半导体芯片表面形成的第一栅极配线(206)和第二栅极配线(202)，并且具有以覆盖第一栅极配线的方式配置的发射极电极(205)和在发射极电极上方配置的烧结层，在半导体芯片表面，在包含发射极电极连接触点(506)以及栅极配线区域(503、504)的整个范围内连续存在至少包含发射极电极和烧结层而成的多层构造。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置和电力变换装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110192284A
申请号 ：
CN201780083838.3
公开（公告）日 ：
2019-08-30
申请日 ：
2017-12-25
授权号 ：
CN110192284B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
古川智康白石正树守田俊章
申请人 ：
株式会社日立功率半导体
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
范胜杰
优先权 ：
CN201780083838.3
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/3205 H01L21/768 H01L23/522 H01L25/07 H01L25/18 H01L29/06 H01L29/41 H01L29/417 H01L29/739
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-09-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20171225
申请日 : 20171225
2019-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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