碳化硅半导体装置

授权

摘要

具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离，在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外，将电场缓和层(15)以直线状构成，将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成，抑制电场的进入。进而，在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间，也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下，抑制电场的进入。

基本信息

专利标题：

碳化硅半导体装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110226235A

申请号：

CN201880008427.2

公开（公告）日：

2019-09-10

申请日：

2018-01-17

授权号：

CN110226235B

授权日：

2022-05-03

发明人：

竹内有一铃木优杉本雅裕渡边行彦

申请人：

株式会社电装;丰田自动车株式会社

申请人地址：

日本爱知县

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

吕文卓

优先权：

CN201880008427.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L21/76 H01L29/06 H01L29/12