碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法
公开
摘要
碳化硅半导体装置具有碳化硅基板、第一电极及第二电极。碳化硅基板具有第一主面、第二主面、第一杂质区域、第二杂质区域及第三杂质区域。第一电极在第一主面处与第二杂质区域及第三杂质区域的各自相接。第二电极在第二主面处与第一杂质区域相接。第二杂质区域包含第一区域和处于第一区域与第二主面之间且与第一区域相接的第二区域。第一区域的杂质浓度为6×1016cm‑3以上。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600250A
申请号 ：
CN202080074984.1
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
畑山智亮增田健良原田信介
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府大阪市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
任天诺
优先权 ：
CN202080074984.1
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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