碳化硅半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种碳化硅半导体装置，包括：具有碳化硅基片(1，61)、第一半导体层(2)、第二半导体层(3)和第三半导体层(4)的半导体基片；贯穿第二和第三半导体层(3，4)并到达第一半导体层(2)的沟槽(5)；位于沟槽(5)侧壁和底部上的沟道层(6)；沟道层(6)上的氧化物膜(8)；氧化物膜(8)上的栅极(9)；与第三半导体层(4)相连的第一电极(14)；与碳化硅基片(1，61)相连的第二电极(19)。第一半导体层(2)和第二半导体层(3)间的边界位置低于氧化物膜(8)的最低位置。

基本信息

专利标题：

碳化硅半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1790735A

申请号：

CN200510116265.9

公开（公告）日：

2006-06-21

申请日：

2005-11-04

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

马尔汉·拉杰什·库马尔竹内有一

申请人：

株式会社电装

申请人地址：

日本爱知县

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

刘兴鹏

优先权：

CN200510116265.9

主分类号：

H01L29/24

IPC分类号：

H01L29/24 H01L29/78 H01L21/336