一种碳化硅功率器件芯片键合结构

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种碳化硅功率器件芯片键合结构，属于微电子封装技术领域。在本实用新型的碳化硅功率器件芯片键合结构中，碳化硅功率器件芯片通过第一银烧结层和第二银烧结层键合连接到基板上；第一银烧结层与第二银烧结层银通过热压键合连接；碳化硅功率器件芯片与第一银烧结层之间依次配置有第一阻挡层和第一粘接层；第二银烧结层与基板之间依次配置有第二粘接层和第二阻挡层。

基本信息

专利标题：

一种碳化硅功率器件芯片键合结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920473209.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-10

授权号：

CN209496816U

授权日：

2019-10-15

发明人：

夏国峰尤显平

申请人：

重庆三峡学院;夏国峰

申请人地址：

重庆市万州区天星路666号

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201920473209.8

主分类号：

H01L21/50

IPC分类号：

H01L21/50 H01L21/603 H01L23/488

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/50

应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的

法律状态

2021-03-19 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20190410
授权公告日 : 20191015
终止日期 : 20200410

2019-10-15 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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