一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法
公开
摘要
本发明提供的一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法，制备出的新型超级浮动结碳化硅功率器件包括背部电极1、N+衬底区2、N‑外延区3、P型浮动结区4、P型超级结区5、表面P+区6以及正面电极7；本发明在外延层中加入一层或多层不连续的P+结构，类似于在外延层内部形成PN结结构，同时本发明在浮结结构设计中，局部浮结结构用P柱5与表面P+区6连接，因此器件内部的P+区内部的负电荷可以被表面抽取，使器件在反向截止后，正向仍然可以正常导通。
基本信息
专利标题 ：
一种新型超级浮动结碳化硅功率器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628494A
申请号 ：
CN202210108877.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
汤晓燕刘延聪张玉明袁昊宋庆文
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210108877.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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