碳化硅器件及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种碳化硅器件及其制备方法，包括：提供基底结构，基底结构依次包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、第一导电类型的第一离子注入层以及第二导电类型的第二离子注入层；利用光刻工艺在第二离子注入层上形成第一图形化掩膜结构；利用第一图形化掩膜结构在基底结构中形成沟槽；在沟槽中形成栅极结构；利用栅极结构在第二离子注入层上形成第二图形化掩膜结构；利用第二图形化掩膜结构在第二离子注入层中形成开口，开口暴露出部分第一离子注入层；利用开口在暴露出的第一离子注入层中形成接触结构；以及形成与接触结构连接的导电层；第一导电类型和第二导电类型的导电类型相反。由此可以避免两道光刻工艺之间存在的套刻精度差异的问题。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628248A
申请号 ：
CN202210526000.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-05-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗顶徐承福范美聪
申请人 ：
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市越城区皋埠镇临江路518号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210526000.X
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336 H01L21/768 H01L23/538 H01L29/423 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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