铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件,该方法包括:将单晶组分和助溶剂投入铂坩埚,加热使其熔化;将铂坩埚内熔体的温度降低至初始生长温度,使单晶组分逐渐沉积在设置于铂坩埚内部的单晶衬底表面;在沉积过程中,控制铂坩埚和单晶衬底反向旋转,并按照预设的第一周期转换铂坩埚和单晶衬底的旋转方向;以及,按照预设的第二周期将单晶衬底沿着熔体深度方向移动一设定距离,不同深度处的熔体在单晶衬底上均匀沉积,形成铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜;本发明能够制得磁光性能及光学性能更加均匀的单晶薄膜,在不需要较大膜厚的情况下,通过提高铋的有效置换量来提升其法拉第系数,降低单晶薄膜开裂的风险。
基本信息
专利标题 :
铋掺杂稀土铁石榴石单晶薄膜、其制备方法以及光学器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318536A
申请号 :
CN202111659397.1
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
侯田江马晓桂训鹏胡露刘凯
申请人 :
长飞光纤光缆股份有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖高新技术开发区光谷大道9号
代理机构 :
武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王聪聪
优先权 :
CN202111659397.1
主分类号 :
C30B29/28
IPC分类号 :
C30B29/28 C30B19/02 C30B19/10 G02B6/27
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/28
分子式为A3Me5O12的,其中A为稀土金属,Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al,例如石榴石
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/28
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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