单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
专利权的终止
摘要

本发明涉及一种单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法。首先将单晶硅片浸入Pirahan溶液预处理,然后再交替重复浸入带正电的聚二烯丙基二甲基氯化氨溶液和带负电的聚苯乙烯磺酸钠溶液中,在基片表面组装多层聚电解质薄膜,最后将表面附有负电的聚电解质薄膜的基片置入由乙醇65~85%,稀土化合物3.5~7%,乙二胺四乙酸1~4%,氯化铵2~5%,尿素10~25%,37%的浓盐酸0.5~1.5%配制的稀土自组装溶液中,获得聚电解质-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺简单,成本低,对环境无污染,制得的稀土纳米薄膜分布均匀,成膜致密,且具有十分明显的减摩作用,具有良好的抗磨损和抗粘着性能。

基本信息
专利标题 :
单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1807225A
申请号 :
CN200510112207.9
公开(公告)日 :
2006-07-26
申请日 :
2005-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
程先华顾勤林白涛蒋喆
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海交达专利事务所
代理人 :
毛翠莹
优先权 :
CN200510112207.9
主分类号 :
B82B3/00
IPC分类号 :
B82B3/00  B81C1/00  B05D5/12  B05D7/24  B05D1/18  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B82
超微技术
B82B
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构;其制造或处理
B82B3/00
通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合的纳米结构的制造或处理
法律状态
2019-12-13 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : B82B 3/00
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20181229
2011-09-28 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101186702475
IPC(主分类) : B82B 3/00
专利号 : ZL2005101122079
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁波启鑫光电有限公司
变更后 : 浙江启鑫新能源科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 315700 浙江省宁波市象山县丹城滨海工业园区金港路37-39号
变更后 : 315700 浙江省宁波市象山县丹城滨海工业园区金港路37-39号
2011-06-15 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101102058537
IPC(主分类) : B82B 3/00
专利号 : ZL2005101122079
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海交通大学
变更后权利人 : 宁波启鑫光电有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200240 上海市闵行区东川路800号
变更后权利人 : 315700 浙江省宁波市象山县丹城滨海工业园区金港路37-39号
登记生效日 : 20110506
2009-04-08 :
授权
2006-09-20 :
实质审查的生效
2006-07-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1807225A.PDF
PDF下载
2、
CN100475686C.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332