单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
专利权的终止
摘要

本发明涉及一种单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法,首先将单晶硅片浸泡在王水中,经加热、自然冷却处理后取出,用去离子水反复冲洗后干燥,再浸入配制好的氨基硅烷溶液中,在基片表面组装氨基硅烷薄膜,然后再置入含有三氯氧化磷和2,3,5-三甲基吡啶的氰化甲烷溶液中,在薄膜表面组装上磷酸基团,最后将表面附有磷酸基硅烷薄膜的基片置入由乙醇、稀土化合物,乙二胺四乙酸,氯化铵,尿素及浓盐酸配制的稀土自组装溶液中,获得磷酸基硅烷-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺简单,成本低,对环境无污染,制得的稀土纳米薄膜分布均匀,成膜致密,且具有十分明显的减摩作用,具有良好的抗磨损和抗粘着性能。

基本信息
专利标题 :
单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1843638A
申请号 :
CN200610024980.4
公开(公告)日 :
2006-10-11
申请日 :
2006-03-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
程先华顾勤林白涛蒋喆
申请人 :
上海交通大学
申请人地址 :
200240上海市闵行区东川路800号
代理机构 :
上海交达专利事务所
代理人 :
毛翠莹
优先权 :
CN200610024980.4
主分类号 :
B05D5/08
IPC分类号 :
B05D5/08  C30B33/00  B81C5/00  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B05
一般喷射或雾化;对表面涂覆流体的一般方法
B05D
对表面涂布流体的一般工艺
B05D5/00
对表面涂布液体或其他流体以获得特殊表面效果,光洁度或结构的工艺
B05D5/08
获得抗摩擦或抗黏附的表面
法律状态
2012-05-30 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101255709753
IPC(主分类) : B05D 5/08
专利号 : ZL2006100249804
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20080206
终止日期 : 20110323
2008-02-06 :
授权
2006-12-06 :
实质审查的生效
2006-10-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1843638A.PDF
PDF下载
2、
CN100366349C.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332