具有改善热导率的难熔金属衬底
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于半导体和集成电路元件的衬底，包括：包含选自元素周期表VIB族金属和/或各向异性材料的核芯板，具有第一主表面和第二主表面以及多个开口，该开口至少部分地从该第一主表面延伸到该第二主表面；选自元素周期表IB族金属或其他高导热材料，填充由至少部分该开口包围的空间的至少一部分；以及可选地，包含元素周期表IB族金属或其他高导热材料的层，置于至少部分该第一主表面和至少部分该第二主表面上。
基本信息
专利标题 ：
具有改善热导率的难熔金属衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101160658A
申请号 ：
CN200580045722.8
公开（公告）日 ：
2008-04-09
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
H·F·布雷特吴荣祯P·库马
申请人 ：
H.C.施塔克公司
申请人地址 ：
美国麻萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘杰
优先权 ：
CN200580045722.8
主分类号 ：
H01L23/373
IPC分类号 ：
H01L23/373
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/373
为便于冷却的器件材料选择
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-06-04 ：
实质审查的生效
2008-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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