具有很高热导率的单晶金刚石
专利申请的视为撤回
摘要
已发现由同位素纯碳-12或碳-13组成的单晶金刚石具有的热导率高于以往知道的任何物质的热导率，一般至少比天然IIA型金刚石高40％。这种金刚石可通过以下方法制备，包括把高同位素纯度的金刚石磨碎，被磨堆的金刚石是用同位素纯的烃与氢混合并进行低压化学气相沉积而获得的，接着再把这种磨碎的金刚石在高压条件下转变成单晶金刚石。
基本信息
专利标题 ：
具有很高热导率的单晶金刚石
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052340A
申请号 ：
CN90109930.9
公开（公告）日 ：
1991-06-19
申请日 ：
1990-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
托马斯·理查德·安东尼威廉·弗兰克·班霍尔策詹姆斯·F·弗莱舍詹姆斯·W·布雷杰罗姆·J·蒂曼劳伦斯·比吉奥
申请人 ：
通用电气公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
孟八一
优先权 ：
CN90109930.9
主分类号 ：
C30B29/04
IPC分类号 ：
C30B29/04 C01B31/06 B01J3/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/04
金刚石
法律状态
1995-06-14 ：
专利申请的视为撤回
1993-03-17 ：
实质审查请求的生效
1991-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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