本实用新型属于金刚石单晶生长技术领域，尤其是一种金刚石单晶生长装置，针对现有的CVD金刚石单晶的进展较慢，无法在较短的时间和低成本上获得大尺寸CVD金刚石单晶，主要是在人工合成的过程中对压力控制不准确的问题，现提出如下方案，其包括壳体，所述壳体两侧内壁上固定安装有加热盘管，所述壳体的底部内壁上固定安装有固定座，所述固定座的顶部放置有石墨块和金属触媒块，且金属触媒块叠放在石墨块的顶部，所述金属触媒块的顶部设置有压紧组件。本实用新型结构简单，通过可以将石墨块和金属触媒块紧密贴合，便于两者互溶，同时在壳体内的气压超过指定的数值时会报警，进而工作人员便于对晶体的生长环境的压力进行严格控制。