一种生长金刚石单晶用样品托及其装置
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摘要
本实用新型涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石单晶用样品托及其装置，本实用新型的样品托包括外托和内托，外托设有用于容置内托的凹槽，凹槽设有内螺纹，内托设有与内螺纹相匹配的外螺纹，内托置于凹槽时，可经外螺纹和内螺纹调节内托相对外托的位置，本实用新型通过拧动外螺纹拧入内螺纹的位置，实现内托相对外托的位置调整，以维持内托上面的温度，从而更好地满足金刚石单晶的生产温度，有效抑制多晶生成；本实用新型的装置包括有上述结构的样品托，其结构简单，设计合理，通过采用高度可调节样品托，有利于防止在MPCVD法生长一定厚度金刚石单晶时多晶的生成。
基本信息
专利标题 ：
一种生长金刚石单晶用样品托及其装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020117720.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN211546717U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
丁雄傑王忠强王琦张国义
申请人 ：
北京大学东莞光电研究院
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖园区沁园路17号1栋2单元306号
代理机构 ：
东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓燕
优先权 ：
CN202020117720.7
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B25/16 C30B29/04 C23C16/27
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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