一种MPCVD装置用单晶金刚石生长晶种托
授权
摘要
本实用新型提供了一种MPCVD装置用单晶金刚石生长晶种托，晶种托上表面为凹球面，凹球面中心具有阶梯形通孔，阶梯形通孔由上部分和下部分组成，上部分的宽度小于小部分的宽度，阶梯形通孔中为与阶梯形通孔间隙配合的晶种垫，晶种垫的上表面高度低于晶种托的上表面高度，晶种托所用材料为金属钼，晶种垫所用材料为氮化铝，能够将等离子体集中起来，改善金刚石晶种表面温度，避免金刚石晶种底部与晶种托之间产生沉积物、碳化物，提高了晶种托的重复利用性，同时还能够根据单晶金刚石的生长高度进行调整，以保障晶种处在最佳生长环境。
基本信息
专利标题 ：
一种MPCVD装置用单晶金刚石生长晶种托
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123223948.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
CN216360513U
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
王志强李明亮刘洋王海龙
申请人 ：
郑州大学;河南省功能金刚石研究院有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号
代理机构 ：
郑州华隆知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
经智勇
优先权 ：
CN202123223948.8
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/511 C23C16/458 C30B29/04 C30B25/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-04-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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