优质金刚石单晶的生长技术
专利申请的撤回
摘要
本发明是一种优质金刚石的生长技术，它是以晶体生长理论为依据所创立的新技术，属国内首创，未见国外报道。该技术在传压介质、试样组装等方面均不同于现在正在采用的技术。本发明在生长金刚石的超高压高温腔体中建立了适合金刚石生长的压力场和温度场，适合用于国内自己设计制造的六面顶超高压高温设备。
基本信息
专利标题 ：
优质金刚石单晶的生长技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1073616A
申请号 ：
CN91107563.1
公开（公告）日 ：
1993-06-30
申请日 ：
1991-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
亓曾笃曹振骏周军学陈光耀朱德渝陈文琍柴文辉
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN91107563.1
主分类号 ：
B01J3/06
IPC分类号 ：
B01J3/06 C30B29/04
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01J
化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备
B01J3/00
利用低于或高于大气压力使物质发生化学或物理变化的方法；其有关设备
B01J3/06
应用超高压方法，例如，用于生成金刚石；其设备，例如塑模或挤压模
法律状态
1996-09-04 ：
专利申请的撤回
1993-06-30 ：
公开
1992-09-23 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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