一种免晶种生长IIa型金刚石大单晶的合成块及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种免晶种生长IIa型金刚石大单晶的合成块及其制备方法，本发明的合成块可实现采用“点状触媒”，将碳源锁定在触媒附件(合成柱)内，可避免在其他位置自成核消耗碳源，可稳定培育出大单晶体的IIa型金刚石，且金刚石生长周期短(可短至3天)，一次性培育产量多，所培育出的金刚石为大单晶的无色透明的，附加值更高的IIa型金刚石，经济效益高。
基本信息
专利标题 ：
一种免晶种生长IIa型金刚石大单晶的合成块及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114471364A
申请号 ：
CN202210166657.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈奇超沈建民唐暻晶
申请人 ：
内蒙古唐合科技有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区锡林郭勒盟太仆寺旗宝昌镇档案局大楼四楼招商局办公室(408)室
代理机构 ：
北京博识智信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
邓凌云
优先权 ：
CN202210166657.X
主分类号 ：
B01J3/06
IPC分类号 ：
B01J3/06
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01J
化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备
B01J3/00
利用低于或高于大气压力使物质发生化学或物理变化的方法；其有关设备
B01J3/06
应用超高压方法，例如，用于生成金刚石；其设备，例如塑模或挤压模
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01J 3/06
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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