一种用于CVD单晶金刚石生长的钼托
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摘要

本实用新型公开了一种用于CVD单晶金刚石生长的钼托,涉及金刚石生长技术领域,包括钼托本体,钼托本体的四个面分别开设有四个不同形状的放置槽,放置槽内活动安装有支撑板,支撑板底部焊接有调节块,钼托本体内开设有圆形腔,圆形腔内转动安装有转动杆,转动杆的外边侧焊接有顶料板,调节块一端穿过钼托本体延伸至圆形腔内,调节块位于圆形腔内部的一端焊接有弧形突起,转动杆一端通过转动轴安装在圆形腔内,转动杆另一端穿出圆形腔延伸至钼托本体外壁,本实用新型结构新颖,使用便捷,具有四个不同形状的放置槽,可实现不同的生长需求,同时具有外接夹具功能,方便对金刚石成品进行夹持固定,方便后续的加工,实用性较强。

基本信息
专利标题 :
一种用于CVD单晶金刚石生长的钼托
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022457607.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-29
授权号 :
CN213624469U
授权日 :
2021-07-06
发明人 :
王凯秦静
申请人 :
美若科技有限公司
申请人地址 :
山东省日照市五莲县市北经济开发区山河路57号
代理机构 :
济南文衡创服知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘真
优先权 :
CN202022457607.6
主分类号 :
C30B25/00
IPC分类号 :
C30B25/00  C30B29/04  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
法律状态
2021-07-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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