一种单晶金刚石外延的晶种托
授权
摘要
本实用新型涉及一种单晶金刚石外延的晶种托，用于提高微波等离子体化学气相沉积方法外延生长单晶金刚石的工艺控制精度和生长质量，单晶金刚石不同晶面的生长优先级受生长温度影响，实现0.5摄氏度的温控精度，控温范围达200摄氏度。晶种托整体为圆盘状，上表面中部有方形槽，方形槽用于放置晶种，上表面外部有环形槽，环形槽用于放置等离子体约束罩，晶种托下表面有开口朝下的控温槽，所述控温槽形状为圆柱形，所述控温槽可与导热杆相接，所述导热杆内有冷却水路，且导热杆下部连接升降轴，可用于调节与控温槽的接触面积。本实用新型能够在保证生长环境压强和气体比例等相匹配的情况下，依据工艺需求调节温度和功率。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶金刚石外延的晶种托
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021239421.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN212640659U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
赵效铭闫石
申请人 ：
物生生物科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市顺义区仁和镇林河北大街21号院1幢5层2单元606
代理机构 ：
北京科迪生专利代理有限责任公司
代理人 ：
安丽
优先权 ：
CN202021239421.7
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B29/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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