一种旋转装置及晶圆外延设备
授权
摘要
本实用新型提供一种旋转装置及晶圆外延设备，属于半导体生产辅助设备领域。该旋转装置包括壳体、发热层、旋转组件及托盘；壳体具有中空的容腔，且开设有与容腔相连通的反应气体入口和出气口；发热层设置于容腔的底部，且开设有旋转气体通道；旋转组件转动地设置于所述发热层上，托盘设置于旋转组件上，用于放置晶圆。本实用新型提供的旋转装置，从旋转气体通道进入的气流能够驱动旋转组件转动，参与反应的气体从反应气体入口流入，在晶圆表面发生化学气相沉积的过程中，由于晶圆始终处于旋转的状态，晶圆表面的各位置发生反应的概率更为接近，有利于形成良好的外延层。
基本信息
专利标题 ：
一种旋转装置及晶圆外延设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123319246.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
CN216585314U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
黄帅帅肖蕴章钟国仿王泽桦刘亮辉杨方徐鑫经军辉刘佳明陈炳安
申请人 ：
深圳市纳设智能装备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路招商局光明科技园A6栋1B
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
贾耀斌
优先权 ：
CN202123319246.X
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B25/14 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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