一种晶圆外延薄膜装置
授权
摘要
本实用新型提供一种晶圆外延薄膜装置，所述外延薄膜装置至少包括：承载座，设有一内凹槽；支撑环，设有至少一缺口；其中，所述支撑环还设有底部凹槽和顶部凹槽，所述底部凹槽是设置在靠近支撑环底部的一端，所述顶部凹槽是设置在靠近支撑环底部的另一端，以承载所述晶圆；其中，所述支撑环通过所述内凹槽套设于所述承载座上。本实用新型所提供的晶圆外延薄膜装置，可以有效改善外延片的厚度、浓度不均匀的问题，还可以减少外延薄膜装置表面的反应物沉积过厚而导致卡片和晶圆破裂等现象。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆外延薄膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122986623.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
CN216688313U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
刘振兴赵哲张优优沈淳周长健潘尧波
申请人 ：
中电化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苗晓娟
优先权 ：
CN202122986623.9
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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