具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED...
授权
摘要
本实用新型公开了具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜。所述LED外延薄膜包括n‑GaN,依次生长在n‑GaN上的MOCVD制备的InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱、电子阻挡层、p‑GaN层。本实用新型提出的高内量子效率近紫外LED外延薄膜具有结构简单、效率高、可有效改善量子阱材料质量的特点，可广泛应用于近紫外、蓝光、黄绿光LED等领域。
基本信息
专利标题 ：
具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921989929.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN212209532U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
李国强李媛洪晓松王文樑邢志恒
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
何淑珍
优先权 ：
CN201921989929.6
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/00
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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