制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及...
公开
摘要
本公开提供了一种制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件。方法包括：第一温度下，在衬底上生长GaN缓冲层；将第一温度升至第二温度，并在第二温度下，在GaN缓冲层上生长非掺杂GaN层；将第二温度降低至设定温度，在非掺杂GaN层上生长InGaN量子阱层；在设定温度下，通入NH3，持续生长反应至第一时间，在InGaN量子阱层上获得InGaN量子点，其中，通入NH3流量为1～10slm。本公开通过InGaN层材料生长过程的生长特性直接获得InGaN量子点，具有步骤简单，易操作的优势，显著降低了获得InGaN量子点的工艺复杂度。通过NH3流量改变获得不同直径不同密度的InGaN量子点，进一步优化了InGaN量子点的发光性能，包括发光波长以及发光强度，推进了InGaN量子点在InGaN基光电器件中的应用。
基本信息
专利标题 ：
制备InGaN量子点的方法、InGaN量子点、外延结构及光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628554A
申请号 ：
CN202210254828.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈振宇赵德刚梁锋刘宗顺陈平杨静
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202210254828.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/06 H01L33/32 H01S5/34 H01S5/343 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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