量子点显示器件制造方法、量子点显示器件
实质审查的生效
摘要

本申请公开了一种量子点显示器件制造方法、量子点显示器件。该方法包括:对基底层进行图案刻画,以划分发光功能区域;在基底层上以预设的第一沉积工艺将预设第一材料沉积得到金属反射层;在金属反射层上以预设的第二沉积材料将预设第二材料沉积得到透明电极层;对透明电极层以预设的刻画工艺进行图案刻画,以划分不同颜色的子像素区域;在透明电极层上以预设的第三沉积工艺沉积预设的量子点材料,得到量子发光层;在透明电极层上以预设的第四沉积工艺将预设第三材料沉积得到半透明反射层。本申请的量子点制造方法,能够实现具有高像素密度的量子点图案化显示,并且不会破坏量子点材料。

基本信息
专利标题 :
量子点显示器件制造方法、量子点显示器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388720A
申请号 :
CN202111463607.X
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孙小卫梅冠鼎王为高刘湃
申请人 :
南方科技大学
申请人地址 :
广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
代理机构 :
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 :
洪铭福
优先权 :
CN202111463607.X
主分类号 :
H01L51/56
IPC分类号 :
H01L51/56  H01L51/52  
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20211202
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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