显示器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750
之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。
基本信息
专利标题 ：
显示器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1607875A
申请号 ：
CN200410097474.9
公开（公告）日 ：
2005-04-20
申请日 ：
1993-12-09
授权号 ：
CN1607875B
授权日 ：
2011-07-06
发明人 ：
宫崎稔A·村上崔葆春山本睦夫
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN200410097474.9
主分类号 ：
H05B33/12
IPC分类号 ：
H05B33/12 H05B33/26 H05B33/08 H05B33/10
相关图片
法律状态
2014-02-05 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101567132290
IPC(主分类) : H05B 33/12
专利号 : ZL2004100974749
申请日 : 19931209
授权公告日 : 20110706
期满终止日期 : 20131209
号牌文件序号 : 101567132290
IPC(主分类) : H05B 33/12
专利号 : ZL2004100974749
申请日 : 19931209
授权公告日 : 20110706
期满终止日期 : 20131209
2011-07-06 ：
授权
2011-03-23 ：
发明专利更正
发明专利公报更正号牌文件类型代码 : 1608
号牌文件序号 : 101074079005
卷 : 26
号 : 32
页码 : 无
申请号 : 2004100974749
IPC(主分类) : H05B0033120000
修正类型代码 : 无
更正项目 : 专利申请公布后的驳回
误 : 驳回
正 : 撤销驳回
号牌文件序号 : 101074079005
卷 : 26
号 : 32
页码 : 无
申请号 : 2004100974749
IPC(主分类) : H05B0033120000
修正类型代码 : 无
更正项目 : 专利申请公布后的驳回
误 : 驳回
正 : 撤销驳回
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003963013
IPC(主分类) : H05B 33/12
专利申请号 : 2004100974749
公开日 : 20050420
号牌文件序号 : 101003963013
IPC(主分类) : H05B 33/12
专利申请号 : 2004100974749
公开日 : 20050420
2005-06-22 ：
实质审查的生效
2005-04-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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