紫外LED外延结构及光源器件
授权
摘要
本实用新型属于半导体器件技术领域，涉及一种紫外LED外延结构及光源器件，该紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层；其中，所述衬底基材包括合金材质的衬底层。该紫外LED外延结构及光源器件提供的技术方案具有结构简单、生产成本低、综合力学性能好、晶格缺陷小、强度高、硬度大、导热性好、热膨胀系数小的特点。
基本信息
专利标题 ：
紫外LED外延结构及光源器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021692921.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN212750914U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
李锋吉爱华
申请人 ：
深圳市光脉电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道桥头社区金港科技园B栋厂房501
代理机构 ：
深圳市世联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
汪琳琳
优先权 ：
CN202021692921.6
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/14 H01L33/00
相关图片
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212750914U.PDF
PDF下载
