一种提高内量子效率紫外LED外延结构
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摘要
本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，提出了一种提高内量子效率紫外LED外延结构，包括由下向上依次设置的衬底层、缓冲层以及外延层，外延层包括有源区发光层，有源区发光层包括上下交替设置的量子阱层和量子垒层，关键在于：所述量子阱层为AlxGa1‑xN层，量子垒层为AlxInzGa(1‑x‑z)N层。可以减小量子阱层内阱和垒的晶格常数差异，从而减小有源区发光层内存在的压应力，不会形成较强的极化电场，也就可以避免出现能带弯曲、电子和空穴的空间分离、辐射复合效率低、降低紫外LED的内量子效率的情况。
基本信息
专利标题 ：
一种提高内量子效率紫外LED外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021296229.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-06
授权号 ：
CN212257437U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
李怀水申硕尤立鹏李晓波
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
修红霞
优先权 ：
CN202021296229.1
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/32 H01L33/12
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法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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