一种提高外量子效率的LED芯片
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摘要
本实用新型提供了一种提高外量子效率的LED芯片。包括DBR层、衬底、缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、N型电极和P型电极，N型电极和P型电极均为铝基反射电极，P型电极的铝金属层直接与透明导电层接触，用以提升反射电极与半导体界面的反射率；透明导电层包括一层用于与P型电极中铝金属层接触的AZO层，用以提升P型电极与透明导电层之间的粘附力。本实用新型采用铝基反射电极，取消了P型电极与透明导电层之间的插入层金属，通过设置AZO透明导电层，在保证透明导电层与P型电极的铝金属层粘附力符合标准的同时，保证了铝金属层的反射率，解决了反射率与粘附力二者不能兼得的矛盾，提高了LED芯片的发光效率和外量子效率。
基本信息
专利标题 ：
一种提高外量子效率的LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020874738.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-22
授权号 ：
CN211654851U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
汪延明周智斌
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
代理机构 ：
长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张勇
优先权 ：
CN202020874738.1
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/38 H01L33/40 H01L33/46 H01L33/00 C23C14/08 C23C14/18 C23C14/24 C23C14/30 C23C14/35 C23C14/54 C23C14/58 C23C16/02 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/50 C23C16/56
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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