一种有效提高紫外LED内量子效率的外延结构
授权
摘要
本实用新型涉及紫外LED外延片，提出了一种有效提高紫外LED内量子效率的外延结构，包括衬底，依次生长在衬底上的AlN缓冲层、AlN模板层、i型AlGaN层、N型AlGaN层、AlGaN/AlGaN多量子阱有源层、p型电子阻挡层、p型GaN层，p型电子阻挡层包括超晶格AlN/AlGaN层，超晶格ALN/ALGAN层中具有较高的空穴浓度，既能有效提升对电子泄露的阻挡作用，又能降低空穴注入过程中的势垒高度，有效提升了紫外LED的内量子效率，提高紫外LED的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种有效提高紫外LED内量子效率的外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021378478.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN212257438U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
白欣娇袁凤坡李晓波皮义群
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘陶铭
优先权 ：
CN202021378478.5
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/14 H01L33/32
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法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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