一种提高LED亮度的外延结构

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摘要

本实用新型公开了一种提高LED亮度的外延结构，目前决定内量子效率的主要因素是发光区的载流子数目和电子空穴对复合的几率，将电子和空穴尽可能的限制在发光层，能够提高电子空穴对复合几率，可以实现提高LED发光效率，本实用新型中在n‑AlGaInP波导层和MQW有源层中插入多层限制层，通过组分的设计使限制层Ⅰ、限制层Ⅱ和限制层Ⅲ处于压应变，材料的势垒因此变高，限制电子和空穴的能力得到提高，从而提高电子与空穴对在量子阱中的复合几率，进而提高发光效率。

基本信息

专利标题：

一种提高LED亮度的外延结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921605356.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-25

授权号：

CN211455712U

授权日：

2020-09-08

发明人：

宁如光张银桥潘彬王向武

申请人：

南昌凯迅光电有限公司

申请人地址：

江西省南昌市新建区临空经济区中小微企业园办公楼二楼

代理机构：

南昌大牛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

喻莎

优先权：

CN201921605356.2

主分类号：

H01L33/06

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/30