一种提高氮化镓器件外延层质量的结构

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摘要

本实用新型公开了一种提高氮化镓器件外延层质量的结构，要解决的是现有氮化镓器件外延层质量不佳的问题。本产品包括衬底、i‑GaN层和GaN cap层，所述衬底位于最底层，GaN cap层位于最顶层，衬底上部设置有AlN缓冲层，GaN cap层的下方设置有AlGaN barrier层，i‑GaN层设置在AlGaN barrier层的下方，i‑GaN层的下部设置有c‑GaN层，c‑GaN层和AlN缓冲层之间设置有缓变式多层缓冲层，AlGaN barrier层和i‑GaN层之间设置有AlN spacer层。本产品利用衬底在GaN与AlN间插入缓变式多层缓冲层，缓变式多层缓冲层采用依次成长的多层AlGaN结构形成，对于晶格应力造成的翘曲,以及热膨胀不匹配性造成内应力蓄积问题,可获得大幅度改善,也形成更稳定的外延结构。

基本信息

专利标题：

一种提高氮化镓器件外延层质量的结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921362648.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-21

授权号：

CN210245455U

授权日：

2020-04-03

发明人：

廖宸梓王柏钧陈宪冠叶顺闵

申请人：

聚力成半导体（重庆）有限公司

申请人地址：

重庆市江北区江北嘴IFS国金中心T2栋2911

代理机构：

北京专赢专利代理有限公司

代理人：

于刚

优先权：

CN201921362648.8

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02