一种提高LED芯片提取效率的方法
授权
摘要
本发明公开了一种提高LED芯片提取效率的方法，包括以下步骤：步骤一、将LED芯片放置在浸泡箱内部，并将腐蚀剂适量添加到浸泡箱内，浸泡箱内的加热管对腐蚀剂加热5‑10分钟，待浸泡箱内的温度降至常温时，将LED芯片取出备用；步骤二、将云母粉、氧化锡粉和锑粉按照1：1：1的比例放置在立式搅拌箱内；在对LED芯片进行加工时，将云母粉、氧化锡粉和锑粉混合得到混合物a，再将溶剂与混合物a混合得到混合物b将LED芯片浸泡在混合物b中，并对浸泡时的温度和时间进行控制，氧化锡具有较高的导电性和稳定性，与锑粉混合后，大大提高电导性，且再与云母粉混合，大大提高了LED芯片的耐高温性能，从而大大提高LED芯片的提取效率。
基本信息
专利标题 ：
一种提高LED芯片提取效率的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113036006A
申请号 ：
CN202110232484.2
公开（公告）日 ：
2021-06-25
申请日 ：
2021-03-03
授权号 ：
CN113036006B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
袁凤坡唐兰香路立锋田志怀曹增波孟立智
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉区高新技术产业园区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张梅申
优先权 ：
CN202110232484.2
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-07-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20210303
申请日 : 20210303
2021-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113036006A.PDF
PDF下载
