提升外延薄膜层均匀性和良率的石墨盘
授权
摘要
本实用新型公开了一种提升外延薄膜层均匀性和良率的石墨盘，包括盘体，所述盘体上设置有多个凹坑，多个所述凹坑以盘体的中心为圆心绕其均匀设置，所述凹坑底面沿边缘设置有多个支点，所述凹坑底面设置有圆弧面，有效提升外延薄膜层均匀性和良率。
基本信息
专利标题 ：
提升外延薄膜层均匀性和良率的石墨盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022094651.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN213172680U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
兰鹏国
申请人 ：
苏州尚勤光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区唯新路91号2号楼236室
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
顾品荧
优先权 ：
CN202022094651.5
主分类号 ：
C30B25/10
IPC分类号 ：
C30B25/10 C30B29/40 C30B29/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/10
反应室或衬底的加热
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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