晶圆刻蚀装置和晶圆处理设备

授权

摘要

本申请提供一种晶圆刻蚀装置和晶圆处理设备，晶圆刻蚀装置包括刻蚀槽和气体输入件，刻蚀槽包括底壁和多个侧壁，多个侧壁围合底壁而形成容纳空间，容纳空间用于容置刻蚀液和晶圆；气体输入件包括相互连通的进气部和出气部，进气部用于向出气部输入气体，出气部位于容纳空间内，出气部开设有背向底壁的多个出气孔，出气部的延伸方向为第一方向，在远离进气部的第一方向上，多个出气孔的孔径逐渐增大。通过设置在远离进气部的第一方向上，多个出气孔的孔径逐渐增大，逐渐增大的孔径可以对末端出气孔的流量不足作出补偿，化学均匀性较高，使得不同位置的晶圆的刻蚀程度相同，同时反应副产物的扩散效率较高，不容易堆积于蚀刻槽，降低了残留风险。

基本信息

专利标题：

晶圆刻蚀装置和晶圆处理设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022351143.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-20

授权号：

CN213093176U

授权日：

2021-04-30

发明人：

王建东徐融任德营苏界顾立勋

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司

代理人：

熊永强

优先权：

CN202022351143.0

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67