一种硅晶圆刻蚀装置

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摘要

本实用新型涉及一种硅晶圆刻蚀装置。采用的技术方案是：包括刻蚀装置外壳、控制面板、硅晶圆承载机构、滴胶机构、均布机构、氮气平布机构、检测箱和恒温恒湿机构，所述硅晶圆承载机构上部设置有所述滴胶机构，所述滴胶机构一侧设置有所述均布机构，所述均布机构后侧设置有所述氮气平布机构。本实用新型的有益效果：通过刻蚀装置外壳实现硅晶圆刻蚀装置加工环境封闭，通过硅晶圆承载机构实现四片晶圆同时刻蚀加工，便于晶圆取放，通过滴胶机构保障加工过程中光刻胶滴胶均匀，同时保持光刻胶质量和品质，通过均布机构和氮气平布机构实现对光刻胶均匀涂布，保障涂布平整，通过恒温恒湿机构完成装置内部空气循环，保障工作环境稳定，保障硅晶圆刻蚀质量。

基本信息

专利标题：

一种硅晶圆刻蚀装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021612897.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-06

授权号：

CN212434588U

授权日：

2021-01-29

发明人：

朱博超章志成邹严宇

申请人：

浙江森田新材料有限公司

申请人地址：

浙江省金华市武义县青年路胡处工业区

代理机构：

杭州新泽知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

曾建芳

优先权：

CN202021612897.0

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67