硅的深槽刻蚀方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的SF6，并附加O2(或N2，或O2+N2)和Ar，在深槽侧壁形成阻挡刻蚀层，结果得到了侧壁垂直的深槽，可广泛应用于集成电路中器件之间的隔离。
基本信息
专利标题 ：
硅的深槽刻蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1065552A
申请号 ：
CN92103289.7
公开（公告）日 ：
1992-10-21
申请日 ：
1992-05-11
授权号 ：
CN1022526C
授权日 ：
1993-10-20
发明人 ：
张利春钱钢阎桂珍王咏梅王阳元
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
100871北京市海淀区中关村
代理机构 ：
北京大学专利事务所
代理人 ：
郑胜利
优先权 ：
CN92103289.7
主分类号 ：
H01L21/76
IPC分类号 ：
H01L21/76 H01L21/308
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
法律状态
2001-07-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-10-20 ：
授权
1992-10-21 ：
公开
1992-09-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
