一种刻蚀槽
授权
摘要
本实用新型公开了一种刻蚀槽,包括有槽体和硅片输送机构,硅片输送机构由若干个依次间隔连接的送料单元构成,每个送料单元包括有两个支撑板和位于两个支撑板之间的若干辊筒,支撑板包括有底座部分和挡板部分,辊筒的两端分别安装有活动块,挡板部分设有安装槽,活动块通过调节杆调节在安装槽内的高度,辊筒的一端穿过轴承后连接有齿轮,所有齿轮通过与齿轮配合的链条联动,链条由驱动机构驱动转动。本实用新型的刻蚀槽,可以实现硅片的平稳输送,在线实施监测硅片运行过程,发现刻蚀槽变形导致的辊筒水平异常后可以及时在线调整辊筒状态,从而避免液面波动异常影响硅片刻蚀效果。
基本信息
专利标题 :
一种刻蚀槽
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922482367.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-30
授权号 :
CN211208411U
授权日 :
2020-08-07
发明人 :
王建树黄调调董焕苗
申请人 :
浙江鸿禧能源股份有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市平湖市新仓镇广全线联盟段283号
代理机构 :
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
翁斌
优先权 :
CN201922482367.2
主分类号 :
H01L21/677
IPC分类号 :
H01L21/677 H01L21/67 H01L21/687 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的,例如在不同的工作站之间
法律状态
2020-08-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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